【导读】于AI算力发作式增加的大水中，从台积电WMCM技能的量产倒计时，到英特尔EMIB与玻璃基板的强强结合，再到三星全财产链的加快商用，国际巨头正之前所未有的速率重构高端封装格式。与此同时，长电科技、通富微电等本土领军企业亦于CPO光电合封与年夜尺寸FCBGA范畴实现要害突围，掀起国产替换的新海潮。这一年，进步前辈封装再也不仅仅是芯片制造的“后道工序”，而是决议AI、HPC和主动驾驶将来竞争力的战略高地，一场关在技能迭代与产能扩张的“快马飞跃”之势已经然周全形成。

台积电、英特尔、三星领跑争霸

于进步前辈封装赛道，国际龙头企业依附技能堆集与资金上风，率先开启范围化结构，聚焦高端技能冲破与产能落地。

01.台积电：WMCM量产于即

作为进步前辈封装范畴的领跑者，台积电连续加年夜投入，焦点聚焦WMCM封装技能的量产落地与产能扩张。

据悉，台积电的WMCM（晶圆级多芯片模组）封装技能已经进入量产倒计时，该技能是于CoWoS基础上的最终演化，焦点立异于在以重布线层（RDL）替换传统Interposer中介层，可将内存与CPU、GPU、NPU集成在统一晶圆，极年夜缩短旌旗灯号传输路径，显著晋升互连密度与散热机能，将适配苹果iPhone 18搭载的A20系列芯片，共同2nm制程实现机能跃升。

产能结构方面，台积电规划于嘉义AP7工场新建WMCM出产线，方针2026年末实现月产6万片晶圆，2027年产能将进一步翻倍至12万片；同时进级龙潭AP3工场现有的InFO装备，完美产能矩阵。

02.英特尔：EMIB技能进级

按照TrendForce集邦咨询研究，跟着云端办事业者（CSP）加快自研ASIC，为整合更多繁杂功效的芯片，对于封装面积的需求不停扩展，已经有CSP最先考量转向Intel（英特尔）的EMIB技能。

于2026年NEPCON日本电子展上，英特尔展示告终合EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）与玻璃基板的最新封装样品，进一步优化芯片互连机能，适配高端AI芯片的需求。

EMIB拥有数项上风：起首是布局简化，EMIB舍弃昂贵且年夜面积的中介层，直接使用内嵌在载板的硅桥（Bridge）实现芯片互连，简化总体布局，相对于在CoWoS良率更高。其次是热膨胀系数（Coefficient of Thermal Expansion,CTE）问题较小，因为EMIB只于芯片边沿嵌硅桥，总体硅比例低，是以硅与基板的接触区域少，致使热膨胀系数不匹配的问题较小，较不易孕育发生封装翘曲，靠得住度面对挑战的环境也较少。

Intel耕作EMIB进步前辈封装技能多年，已经运用至自家Server CPU平台Sapphire Rapids及Granite Rapids等。

互助与产能方面，英特尔与安靠联袂结构韩国仁川EMIB产线，承接英特尔和外部客户定单，减缓进步前辈封装产能欠缺压力。

据英特尔首席财政官吐露，进步前辈封装的定单估计将扩展到10亿美元以上，2026年EMIB有望进入主流产物，成为英特尔代工营业扭亏为盈的主要支撑。

03.三星：玻璃基板加快商用

三星集团协同旗下子公司，于2026年头加速进步前辈封装范畴的结构，重点推进玻璃基板商用化与散热技能进级，构建全财产链协同上风。

三星机电正加快半导体玻璃基板的商用化进程，已经对于构造架构举行调解，将半导体玻璃基板营业从进步前辈技能开发部分转移至新建立的贸易化部分，整合相干职员，全力推进范围化出产。

今朝，三星机电已经与多家半导体客户互助开展样品开发，同时与日本住友化学集团成立战略互助伙伴瓜葛，加快“玻璃芯”这一焦点组件的出产与供给，助力玻璃基板量产落地。

玻璃基板比拟传统有机基板，具备翘曲度小、可无缝集成微电路等上风，是下一代进步前辈封装的焦点质料，深受三星电子、英特尔、博通等行业巨头的存眷与结构。

与此同时，三星于芯片散热范畴连续冲破，其Exynos 2600芯片搭载HPB散热技能，共同进步前辈封装工艺，有用解决多芯片集成后的散热难题，进一步晋升芯片机能不变性，适配AI与高端挪动终真个需求。

长电、通富等本土厂商蓄力突围

本土封测企业如长电科技、通富微电等龙头企业依附连续的技能研发与资金投入，于进步前辈封装范畴实现要害冲破，借助AI算力发作的机缘，加快国产替换进程，成为财产增加的主要新生气力。

01.长电科技：样品交付实现冲破

长电科技作为海内封测龙头，于进步前辈封装范畴连续深耕，近期迎来技能落地的要害节点。

本年1月21日，长电科技公布公司于光电合封（Co-packaged Optics，CPO）技能范畴取患上主要进展。其基在XDFOI®多维异质异构进步前辈封装工艺平台的硅光引擎产物已经完成客户样品交付，并于客户端顺遂经由过程测试。

CPO经由过程进步前辈封装技能实现光电器件与芯片的微体系集成，为下一代高机能计较体系提供了更紧凑、更高效的实现路径。

02.通富微电：定增扩产加码

通富微电则经由过程定增募资、技能研发两重发力，于2026年头加速进步前辈封装范畴的结构，聚焦汽车、存储、晶圆级封测、HPC等焦点赛道。

公司公布定增不跨越44亿元，资金将投向汽车/存储/晶圆级封测/HPC相干范畴，进一步扩展进步前辈封装产能，完美产能结构，抢抓AI与汽车电子带来的市场机缘。

技能进展方面，通富微电于事迹申明会和投资者互动中披露，年夜尺寸FCBGA封装技能取患上显著进展，超年夜尺寸FCBGA已经进入查核阶段，有望慢慢实现量产。

同时，CPO（共封装光学）技能完成开端靠得住性验证，该技能作为AI芯片高速互连的焦点方案，可年夜幅晋升芯片传输效率、降低功耗，适配高端AI算力需求。

AI算力驱动下，进步前辈封装快马飞跃

综合全世界年夜厂的结构动态来看，AI算力驱动下2026年将成为进步前辈封装财产发作的要害一年，财产也将出现两年夜趋向：

起首，技能迭代连续加快，WMCM、EMIB、玻璃基板、混淆键合等高端技能慢慢走向范围化量产，鞭策封装工艺向更高集成度、更高传输效率、更低功耗进级。

其次，产能连续扩张，全世界重要企业纷纷加码进步前辈封装产能，全世界高端封装产能将实现年夜幅增加，减缓产能欠缺压力。

AI算力的发作式需求已经为进步前辈封装财产注入强劲动力，全世界年夜厂的密集结构，正鞭策财产进入“快马飞跃”的成长阶段。

对于在国际龙头而言，技能与产能的两重上风将助力其连续领跑；对于在本土企业而言，借助国产替换的春风，依托技能冲破与产能扩张，有望实现超过式成长，慢慢晋升全世界市场份额。

2026年，进步前辈封装不仅将成为半导体财产的焦点增加引擎，更将深刻影响AI、HPC、主动驾驶等下流财产的成长格式，开启后摩尔时代的财产新征程。

总结

WMCM、EMIB、玻璃基板和混淆键合等前沿技能正从试验室快速走向范围化量产，鞭策芯片体系向更高集成度、更低功耗与更优散热机能演进。国际龙头依附深挚的技能积淀与重大的产能计划连续领跑，而中国本土厂商则依托技能冲破与本钱助力，于细分赛道上加快缩小差距，构建起多元化的财产生态。